在第三代半导体封装需求持续增长的背景下，传统锡基焊料耐热上限低、高温高负载下焊层易开裂、器件性能衰减等问题，已难以匹配SiC/GaN器件对导热导电能力和热循环稳定性的严苛要求。围绕这一行业痛点，广州汉源微电子封装材料有限公司（品牌简称：汉源微电子）推出的烧结银焊膏产品，以”低温烧结、高温服役”特性，为功率半导体互连提供了新的材料方案。

一、产品定位：面向第三代半导体封装的高性能互连材料

汉源微电子烧结银焊膏定位于面向第三代半导体封装的高性能烧结互连材料。其核心价值体现在三方面：

• 低温工艺降低芯片热损伤：产品可在200～250℃低温条件下烧结，形成致密纯银互联网络，避免高温工艺灼伤精密芯片，提升封装良品率。 • 高导电导热保障器件稳定运行：烧结银层孔隙率低，导热、导电性能接近纯银本体，可支持大功率、高温场景长期服役。 • 全链条自主可控：汉源微电子自主掌握微纳米银粉制备、粉体表面改性、浆料配方开发等关键环节，构建起”微纳米银粉制备—粉体表面改性—烧结银膏配方开发—定制化互连解决方案”的完整产业闭环，核心原料不受进口限制，供应链安全可控。这一点恰好回应了高端烧结银用微纳米银粉制备及表面改性核心技术长期由海外企业垄断、国内厂商多*能开展后端浆料调配的行业现状。

二、主要功能与技术数据

从工艺路径看，汉源微电子烧结银焊膏具备两类烧结方式：

• 无压烧结：在无额外压力条件下，250℃温和工艺即可形成致密银键合层，适配SiC/GaN器件的高散热需求。技术数据显示，无压烧结密度大于7.0g/cm³，电阻率低于9×10⁻⁶Ω·cm，热导率大于200W/m·K，芯片连接强度平均80MPa。 • 有压烧结：在压力辅助下实现更低孔隙率（低于10%）、更高热导率（大于300W/m·K）的烧结连接。有压烧结密度大于7.9g/cm³，电阻率低于5×10⁻⁶Ω·cm，热导率大于300W/m·K，芯片连接强度平均同样达到80MPa。 • 定制化配方开发：根据器件类型、功率等级、使用工况的差异，灵活调整浆料配方，以适配规模化量产需求。

该产品以材料销售加定制化互连解决方案的模式交付，可覆盖汽车电力电子器件、5G/6G通信模块、高端功率半导体、工业控制芯片、航空航天、半导体封装等多个应用领域。

三、客户验证与实施效果

在汽车电子及新能源功率模块厂商的实际应用中，烧结银焊膏的烧结温度较传统锡基路线更低，降低了芯片热损伤，提升了模块良品率与长期服役可靠性，同时简化了生产工序、压缩了综合制造成本。这一实践验证了低温烧结工艺在实际产线中的可行性与价值。

四、技术积淀与产业化支撑

汉源微电子成立于2021年4月7日，总部位于广州市黄埔区科学城南云二路58号，系广州汉源新材料股份有限公司控股子公司，但其技术班底始创于1999年，以原广州有色金属研究院专家和技术人员为核心组建。公司专注于烧结银/铜/金、预成形焊料、焊锡膏、无铅焊料、PCB电镀阳极材料的研发创新，集研发、生产、销售、咨询和技术服务于一体。

在研发投入方面，公司研发及工程技术人员85人，其中教授级高工6人，硕士博士30人，大专及以上学历人员占研发团队90%以上；研发中心总面积约1830平方米，含万级洁净实验室，拥有50多台先进检测仪器。公司与天津大学、天津工业大学、中山大学、华南理工大学、广东工业大学、香港应用科技研究院、广东省科学院（原广州有色金属研究院）、中国赛宝实验室等高校及科研院所建立合作关系，2016年联合天津大学材料学院开展纳米银膏”产学研”项目，攻克高导热烧结银膏技术难题；2024年又与天津工业大学共建”功率半导体模块封装关键材料与工艺”联合实验室，持续推进烧结银等互连材料的技术迭代。

在资质与荣誉方面，汉源微电子于2025年入选国家级专精特新”小巨人”企业，并在2024年通过国家高新技术企业认定；旗下烧结银膜技术曾于2021年荣获中国专利***奖；截至2025年12月，公司累计获得3次国家重点计划立项，并通过ISO9001:2015、IATF16949:2016、ISO14001:2015、ISO45001:2018等多项质量与管理体系认证，为烧结银焊膏等产品的稳定量产提供了体系化保障。

五、结语

针对第三代半导体封装中传统焊料耐热不足、银粉核心原料依赖进口等行业难题，汉源微电子烧结银焊膏通过低温工艺、全链条自主可控的技术路径，以及明确的技术数据与客户实践验证，为汽车电力电子、通信模块、功率半导体等领域的互连需求提供了可参考的材料选择方向。

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