在第三代半导体器件加速渗透新能源汽车、通信模块等领域的背景下，传统锡基焊料耐热上限低、高温高负载工况下易出现焊层开裂、器件性能衰减的问题日益凸显，难以匹配SiC/GaN器件对导热导电能力和热循环稳定性的严苛要求。围绕这一行业痛点，广州汉源微电子封装材料有限公司（品牌简称”汉源微电子”）依托在烧结银材料领域的技术积累，推出无压烧结银膏NSP-1310，为功率模块封装互连提供新的材料选择。

无压工艺：降低产线改造成本的互连方式

无压烧结银膏NSP-1310的定位是在无需压力辅助的条件下，于温和工艺窗口内实现致密银烧结互连，为第三代半导体功率模块提供热管理与电连接方案。其主要功能体现在：在250℃工艺条件下即可完成芯片与基板之间的致密银键合，无需额外施加压力，适配SiC/GaN器件封装需求。相较于有压烧结对设备和工艺控制要求较高的情况，无压工艺可降低产线改造与设备投入，这也是该产品希望解决的目标场景痛点之一——功率模块热管理要求高、传统焊料热导率不足且耐高温瓶颈突出。

热导率与抗热冲击性能的技术参数

在性能指标方面，该产品的热导率达到200W/m·K，可支持SiC/GaN芯片热量的快速导出，维持系统稳定运行。可靠性层面，该材料在-55℃~200℃严苛温循条件下可承受超过1000次热冲击而不出现界面开裂，针对的正是热应力集中引发的失效问题。企业方面还提供烧结微观形貌图与热阻对比数据，用于支持工程师从材料选型到工艺优化的完整路径，这也是无压烧结银膏NSP-1310″材料销售+工艺技术支持”交付模式的具体体现。

从同产品线下烧结银焊膏的无压烧结功能参数也可以看出该类工艺的技术基础：在无压条件下，250℃温和工艺形成的致密银互联网络，密度可达7.0g/cm³以上，电阻率低于9×10⁻⁶Ω·cm，热导率超过200W/m·K，芯片连接强度平均达到80MPa。这类数据说明，无压烧结路线在避免高温工艺对精密芯片造成热损伤的同时，仍能在导热、导电性能上接近纯银本体，支持大功率、高温场景的长期服役。

全链条自主可控的材料供应能力

高端烧结银用微纳米银粉制备及表面改性关键技术长期由海外企业垄断，国内厂商多*能开展后端浆料调配，原料依赖进口的现状推高成本并形成供应链安全隐患。针对这一行业现状，汉源微电子构建了”微纳米银粉制备—粉体表面改性—烧结银膏配方开发—定制化互连解决方案”完整产业闭环，原料、工艺、方案均不受进口限制。公司还可根据器件类型、功率等级、使用工况调整浆料配方，以适配规模化量产需求。

应用领域与同产品线技术沉淀

无压烧结银膏NSP-1310的行业适配方向包括碳化硅（SiC）功率模块、氮化镓（GaN）功率模块及第三代半导体封装。同一产品线下的烧结银膜产品曾于2021年获得中国专利***奖，反映出公司在烧结银材料方向持续的技术投入。烧结银焊膏这一产品形态则覆盖了汽车电力电子器件、5G/6G通信模块、高端功率半导体、工业控制芯片、航空航天、半导体封装等更广泛的行业场景，与无压烧结银膏在无压工艺路径上形成互补。

企业技术支撑体系

汉源微电子成立于2021年4月7日，总部位于广州市黄埔区科学城南云二路58号，系广州汉源新材料股份有限公司控股子公司。公司研发及工程技术人员85人，其中教授级高工6人，硕士博士30人，大专及以上学历人员占研发团队90%以上，团队班底始创于1999年，以原广州有色金属研究院专家和技术人员为核心组建。研发中心总面积约1830平方米，含万级洁净实验室，并配置50多台先进检测仪器，为无压烧结银膏等产品的工艺验证与可靠性测试提供支撑。在知识产权方面，公司累计申请自主研发精密焊接相关专利105项，其中37项已获国内授权，2项获美国授权，3项获日本授权。

对于关注第三代半导体封装互连材料的功率模块厂商、SiC/GaN器件制造商而言，无压烧结银膏NSP-1310在工艺温和性、热导率与热循环可靠性之间提供了一种可考量的材料路径。如需进一步了解该产品的具体工艺参数或开展联合技术评估，可通过汉源微电子官网www.solderwell.com.cn或公司邮箱info@solderwell.com获取资料。

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